Физические основы микро- и наноэлектроники: учебное пособие
Soon
Пособие содержит описания физических эффектов и их компонентов, классификацию веществ, модели энергетических зон и ковалентных связей, физическое описание собственного и примесного полупроводника, применение и характеристики однородных полупроводников. Рассмотрено равновесное и неравновесное состояние p-n перехода, токи в нем, виды пробоев, туннелирование в сильнолегированных p-n переходах, гетеропереходы, вольтамперные характеристики переходов. В конце пособия приводятся практические и домашние задания.
Go to description and details| Publisher | Флинта |
| Pages | 248 |
| Language | Русский |
| ISBN | 978-5-9765-5060-5 |
Пособие содержит описания физических эффектов и их компонентов, классификацию веществ, модели энергетических зон и ковалентных связей, физическое описание собственного и примесного полупроводника, применение и характеристики однородных полупроводников. Рассмотрено равновесное и неравновесное состояние p-n перехода, токи в нем, виды пробоев, туннелирование в сильнолегированных p-n переходах, гетеропереходы, вольтамперные характеристики переходов. В конце пособия приводятся практические и домашние задания.
| Publisher | Флинта |
| Pages | 248 |
| Language | Русский |
| ISBN | 978-5-9765-5060-5 |
| Cover | Мягкий переплёт |
| Paper | офсетная (60-220 г/м2) |
| Illustrations | Черно-белые |
| Dimensions | 160 × 12 × 220 mm |
| Weight, g | 330 |
