Физические основы микро- и наноэлектроники: учебное пособие
Скоро
Пособие содержит описания физических эффектов и их компонентов, классификацию веществ, модели энергетических зон и ковалентных связей, физическое описание собственного и примесного полупроводника, применение и характеристики однородных полупроводников. Рассмотрено равновесное и неравновесное состояние p-n перехода, токи в нем, виды пробоев, туннелирование в сильнолегированных p-n переходах, гетеропереходы, вольтамперные характеристики переходов. В конце пособия приводятся практические и домашние задания.
Перейти к описанию и характеристикам| Издательство | Флинта |
| Страниц | 248 |
| Язык | Русский |
| ISBN | 978-5-9765-5060-5 |
Пособие содержит описания физических эффектов и их компонентов, классификацию веществ, модели энергетических зон и ковалентных связей, физическое описание собственного и примесного полупроводника, применение и характеристики однородных полупроводников. Рассмотрено равновесное и неравновесное состояние p-n перехода, токи в нем, виды пробоев, туннелирование в сильнолегированных p-n переходах, гетеропереходы, вольтамперные характеристики переходов. В конце пособия приводятся практические и домашние задания.
| Издательство | Флинта |
| Страниц | 248 |
| Язык | Русский |
| ISBN | 978-5-9765-5060-5 |
| Обложка | Мягкий переплёт |
| Бумага | офсетная (60-220 г/м2) |
| Иллюстрации | Черно-белые |
| Размеры | 160 × 12 × 220 mm |
| Вес, г | 330 |
