Твердотельная электроника: учебное пособие




В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно рассмотрены характеристики диодов, стабилитронов, транзисторов, тиристоров, диодов Ганна, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, InP. Рассмотрен квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники, характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах. В четвертом издании добавлены разделы по теории гетероструктур, дополнительно введены разделы о репрограммируемых элементах памяти на основе МДП- транзисторов с многослойными диэлектриками; о новых типах солнечных элементов; расширено описание характеристик полевых транзисторов с барьером Шоттки. Учебное пособие рассчитано на широкий спектр направлений обучения студентов классических и технических университетов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники. Оно может быть полезно аспирантам и научным сотрудникам, инженерам-разработчикам.
Перейти к описанию и характеристикам| Издательство | Техносфера |
| Серия | Мир электроники |
| Год издания | 2027 |
| Страниц | 488 |
| Язык | Русский |
| ISBN | 978-5-94836-760-6 |
Отзывы
Описание и характеристики
В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно рассмотрены характеристики диодов, стабилитронов, транзисторов, тиристоров, диодов Ганна, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, InP. Рассмотрен квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники, характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах. В четвертом издании добавлены разделы по теории гетероструктур, дополнительно введены разделы о репрограммируемых элементах памяти на основе МДП- транзисторов с многослойными диэлектриками; о новых типах солнечных элементов; расширено описание характеристик полевых транзисторов с барьером Шоттки. Учебное пособие рассчитано на широкий спектр направлений обучения студентов классических и технических университетов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники. Оно может быть полезно аспирантам и научным сотрудникам, инженерам-разработчикам.
| Издательство | Техносфера |
| Серия | Мир электроники |
| Год издания | 2027 |
| Страниц | 488 |
| Язык | Русский |
| ISBN | 978-5-94836-760-6 |
| Обложка | Твёрдый переплёт |
| Размеры | 180 × 26 × 248 mm |
| Вес, г | 815 |






